RAM DDR4 - jeden moduł na jeden kanał

Na konferencji MemCon w Tokio przedstawiono szczegóły dotyczące przyszłego standardu pamięci RAM DDR4. Jak przewiduje JEDEC, standard ma szanse najprawdopodobniej trafić do masowej produkcji już w 2012 roku. Jednocześnie uaktualniony plan rozwoju przewiduje upowszechnienie się pamięci DDR4 około 2015 roku.

Ceny pamięci DDR2 (na rynku od 2003 roku) i DDR3 (na rynku od 2007 roku) niedawno się zrównały i tym samym można powiedzieć, że rozpoczełą się epoka dominacji tego drugiego standardu. Tymczasem już trwają rozmowy na temat wprowadzenia nowego standardu pamięci DDR4. Przygotowania do produkcji oraz prace nad sfinalizowaniem specyfikacji potrwają do 2011 roku, natomiast start produkcji i dostępność pierwszych produktów na rynku przewidywana jest na 2012 rok.
 

Pierwsze moduły DDR 4 będą wykonywane w procesie 32 nm lub 36 nm, czyli nieco więcej niż najnowsze pamięci DDR3 (30 nm). Ważną informacją dla nas jest to, że ceny modułów DDR4 o dużej pojemności będą prawdopodobnie niższe niż w przypadku DDR3. Poniekąd będzie to wymuszone zmianą zasad komunikacji kontrolera pamięci z modułami - w przypadku układów DDR4 na jeden kanał ma przypadać tylko jeden moduł.

Aby więc zadośćuczynić zapotrzebowaniu na dużą ilość pamięci będzie trzeba skonstruować bardzo pojemne moduły. Pomóc ma w tym technologia TSV, czyli wielowarstwowe struktury pamięci. Efektem zastosowania TSV ma być znacznie większa pojemność pojedynczego modułu i niższa cena niż w przypadku kilku oddzielnych układów o tej samej sumarycznej liczbie GB.
 

Technologia TSV ma przydać się zwłaszcza w przypadku serwerów, gdzie duża ilość RAM jest koniecznością. Inną metodą obejścia problemu pojedynczego modułu na jeden kanał mają być montowane na serwerowych płytach głównych przełączniki, umożliwiające pracę wielu modułów pamięci w trybie jednego kanału. W połączeniu z kolejnymi kanałami (i dużą liczbą kości pamięci) otrzymamy komunikację na przykład czterokanałową. Widać więc, że droga rozwoju polegająca na wbudowywaniu wielokanałowych kontrolerów, jak w przypadku planowanych procesorów Intel dla podstawki LGA 2011, ma rację bytu.
 

Zgodnie z przewidywaniami pamięci DDR4 powinny oferować mniejsze zużycie energii oraz wyższą przepustowość – jeżeli szczyt taktowania pamięci DDR3 według normy JEDEC wynosi 2133 MHz, to nowe DDR4 będą mogły pracować z taktowaniem nawet do 4266 MHz. Ze względu na okres przejściowy między dwoma standardami, na początku dostępne będą moduły o szybkości 1600 MHz. Również napięcie zasilające ma ulec zmianie (oczywiście na niższe) – z obecnych 1,65 V i 1,3 V (odpowiednio w DDR3 i DDR3L) do 1,2 V, a nawet do 1,05 V w DDR4.

Na prawdziwą „przesiadkę” na pamięci DDR4 przyjdzie nam jednak jeszcze długo poczekać, i to dłużej niż w przypadku DDR3. Powodem tego jest konieczność dokonania o wiele dalej idących zmian przez producentów płyt głównych i mikroukładów, niż podczas migracji ze standardu DDR2 na DDR3.

Źródło: computerbase.de, xbitlabs.com
 

Polecamy artykuły:
Programy dla pasjonatów fotografii cyfrowej	100 najlepszych gier XX wieku cz. 3	Sztuczki i porady do Windows 7 na lepszą pracę