Intel i Micron prezentują pamięć NAND 3D - nadchodzą SSD o pojemności >10 TB

Firmy Intel i Micron ogłosiły dostępność technologii NAND 3D, która pozwoli konstruować jeszcze pojemniejsze nośniki danych, zapewniając w ten sposób ciągły wzrost wydajności i oszczędności.

Pamięć flash jest technologią magazynowania danych używaną w najcieńszych laptopach, najszybszych centrach danych i niemal każdym telefonie komórkowym, tablecie i urządzeniu mobilnym. Nowa technologia NAND 3D, opracowana wspólnie przez firmy Intel i Micron, z niezwykłą precyzją umieszcza pionowo warstwy komórek przechowujących dane, by w efekcie uzyskać urządzenia magazynujące o trzykrotnie większej pojemności niż w konkurencyjnych technologiach NAND. Dzięki temu na mniejszej przestrzeni mieści się więcej danych, co oznacza znaczną redukcję kosztów, niższe zużycie energii i wyższą wydajność w wielu mobilnych konsumenckich, jak również w najbardziej wymagających zastosowaniach korporacyjnych.

Jedna z najważniejszych zalet tej technologii leży w samej podstawowej komórce pamięci. Intel i Micron postanowiły wykorzystać komórkę z pływającą bramką – powszechnie stosowane rozwiązanie, ulepszane przez lata masowego wytwarzania hybrydowych pamięci flash. To pierwsze użycie komórki z pływającą bramką w NAND 3D, co było kluczową decyzją projektową, umożliwiającą uzyskanie większej wydajności, a także podwyższenie jakości i niezawodności.

Nowa technologia NAND 3D umieszcza pionowo komórki pamięci flash na 32 warstwach, dzięki czemu otrzymuje się płytkę komórek wielostanowych (MLC) o pojemności 256 Gb oraz komórek trzystanowych (TLC) o pojemności 384 Gb, która mieści się w standardowych obudowach. Takie pojemności umożliwią stworzenie dysków SSD wielkości listka gumy do żucia, oferujących pojemność ponad 3,5 TB i standardowych 2,5-calowych dysków SSD o pojemności ponad 10 TB. Pojemność została osiągnięta pionowym rozmieszczeniem komórek, dlatego rozmiary poszczególnych komórek mogą być wyraźnie większe. To zaś powinno zwiększyć zarówno wydajność, jak i trwałość, przez co nawet konstrukcje TLC będą nadawać się do pamięci masowych w centrach danych.

„Współpraca Microna i Intela zaowocowała czołową w branży technologią pamięci półprzewodnikowych, która oferuje wysokie zagęszczenie, wydajność i efektywność, a ponadto nie ma sobie równych wśród rozwiązań flash” - powiedział Brian Shirley, wiceprezes działu Memory Technology and Solutions w firmie Micron Technology. „Technologia NAND 3D ma potencjał dokonania fundamentalnych zmian na rynku. Skala wpływu, jaki pamięć flash miała do chwili obecnej — od smartfonów po superkomputery zoptymalizowane pod kątem pamięci flash - jest zaledwie wierzchołkiem tego, co będzie można osiągnąć”.

Testowe układy NAND 3D w wersji MLC 256 Gb są wysyłane już teraz do wybranych partnerów, natomiast wersja TLC 384 Gb będzie rozsyłana do testów późną wiosną. Linia produkcyjna jest już uruchomiona, a obydwa urządzenia będą produkowane z pełną wydajnością przed czwartym kwartałem tego roku. Obie firmy opracowują także linie produktów SSD opartych na technologii NAND 3D i należy oczekiwać, że owe urządzenia pojawią się w ciągu najbliższego roku.

Źródło: Intel, Micron