(Taipei, Taiwan) Silicon Power - Światowej klasy producent pamięci DRAM, z dniem dzisiejszym wprowadza do swojej oferty moduły DRAM DDR3 wyposażone z czujnikami temperatury na zastosowanie w pracy z serwerami i stacjami roboczymi. Nowe pamięci pracują z taktowaniem 1066Mhz i 1333Mhz i są kompatybilne z Intel Nehalem – platforma Xeon 5500 z trzy-kanałowymi operacjami. Z budowanymi czujnikami temperatury, pamięci mogą skutecznie zapobiec awarii systemu, z maksymalizować stabilność i poprawić ogólną wydajność.
Dla operatorów serwerów i stacji roboczych, stabilność platformy jest jednym z najważniejszych czynników. Czujniki ciepła mogą być monitorowane przez system i zastosować pracę pamięci odpowiednio, aby zapobiec przegrzaniu lub przepracowaniu modułow. Poprzez skuteczne i równomiernie rozprowadzania ciepła, moduły Silicon Power zapewniają maksymalną wydajność i stabilność.
Silicon Power moduły DDR3 1333/1066 są zgodne ze standardem JEDEC, oraz posiadają zastosowany system Fly-by, poprawiający komunikację modułów z kontrolerem pamięci oraz technologię ODT (On-DIE Termination), która skutecznie zmiejsza sygnały refleksyjne. Pamięci są produkowane jako pojedyńcze kości, dwu- i trzy-kanałowe zestawy w pojemnościach 6GB (2GB*3) / 3GB (1GB *3) / 4GB (2GB*2) / 2GB (1GB X 2) / 2GB / 1GB.
Pamięci Silicon Power są w 100% testowane, zgodne z Europejskim standardem RoHS i posiadają wieczystą gwarancję.
Cechy produktu:
- Serwer / Stacja Robocza DDR 3 DRAM moduły
- W budowane sensory temperatury
- Kompatybilne z Intel Nehalem- Xeon 5500 in pojedyńczym, podwójnym i potrójnym trybie
- Zużywa 20-30% mniej mocy niż DDR2
- Konfiguracja 128Mx8 z obudowaniem FBGA – efektywnie rozprowadzanie ciepła
- Zastosowany system Fly-by, poprawiający komunikację modułów z kontrolerem pamięci
- Technologia ODT (On-DIE Termination), która skutecznie zmiejsza sygnały refleksyjne
Specyfikacje produktu:
- Typ Pamięci: DDR3 Unbufferred ECC Memory
- PIN: 240Pin Long-DIMM
- Częstotliwość: DDR3-1333 MHz / DDR3-1066 MHz (PC3-10600/ PC3-8500)
- Typ modułu: Unbufferred ECC Memory
- Pojemność: 6GB(2GB*3) / 3GB(1GB*3) / 4GB(2GB*2) / 2GB(1GB*2)/ 2GB / 1GB
- Konfiguracja: 128Mx8 (bit)
- Napięcie: 1.5 V
- Latecja: 9 (1333MHz) / 7 (1066MHz)
- Gwarancja: Wieczysta
źródło: informacja prasowa
Komentarze
5