Samsung prezentuje nową generacją pamięci DDR3

Firma Samsung poinformowała, że udało się jej wyprodukować 2-gigabitowy układ pamięci DRAM DDR3, wykonany w technologii 30 nm.  

Według przedstawicieli koncernu, nowy proces technologiczny umożliwia 60-procentowy wzrost wydajności produkcji, w porównaniu do pamięci 40 nm, umożliwiając jednocześnie zmniejszenie jej kosztów, co w efekcie powinno spowodować spadek cenach  w sklepach. Kości pamięci produkowane w 30 nm procesie technologicznym umożliwiają również zmniejszenie zużycia prądu i to o ok. 30% w porównaniu do starszych rozwiązań (wykonanych w procesie 50 nm).

Firma marzy o wykorzystaniu nowych chipów w szerokich zastosowaniach, od komputerów PC do ultra przenośnych urządzeń. Produkt wejdzie do produkcji w drugiej połowie roku.

Źródło: tcmagazine.com