Samsung rozpocznie produkcję pamięci V-NAND - dyski SSD będą jeszcze pojemniejsze

Niedawno informowaliśmy, że koncern Samsung rozpocznie masową produkcję rewolucyjnych pamięci V-NAND. Dzisiaj poznaliśmy trochę więcej informacji na temat tej technologii.

Tradycyjne pamięci NAND produkowane są w coraz niższym procesie technologicznym i w efekcie oferują coraz większą pojemność. Oczywiście nie jest to proces nieskończony - koreański producent twierdzi, że w przypadku obecnej technologii produkcji (CTF - Charge Trap Flash), już przy 10-nanometrowej litografii pojawią się problemy ze zbyt małymi odległościami między komórkami i wzajemnym oddziaływaniem ich na siebie. Warto zauważyć, iż droga do maksymalnego wykorzystania technologii CTF wcale nie jest taka długa – najnowsze dyski SSD wykorzystują bowiem 19-nanometrowe kości, natomiast czołowi producenci pracują już nad masową produkcją ich 10-nanometrowych wersji.

W tym celu Samsung opracował nowy model V-NAND (występujący również pod nazwą 3D Vertical NAND lub 3D Charge Trap Flash), który bazuje na udoskonalonym procesie produkcji – w tym przypadku trójwymiarowej strukturze, gdzie ładunek elektryczny jest „łapany” nie przez tzw. pływającą bramkę (floating gate), ale przez warstwę izolatora z azotku krzemu (SiN). Na uwagę zasługuje również fakt, iż nowa technologia pozwala łączyć w danym układzie aż 24 ich warstwy. W efekcie zmniejszono oddziaływania między sąsiadującymi ze sobą komórkami oraz zwiększono ich gęstość w jednym układzie.

Co to oznacza dla zwykłego klienta? Kości V-NAND oferują 2-krotnie wyższą wydajność, od 2- do 10-krotnie większą wytrzymałość, a przy tym pobierają o połowę mniej energii w stosunku do 10-nanometrowych kości NAND.

Pierwsze dyski SSD z kośćmi V-NAND będą oferować pojemność do 960 GB

Produkcja pamięci rozpocznie się jeszcze w tym miesiącu w południowokoreańskim Hwaseong - obecne możliwości umożliwiają tworzenie modułów o pojemności 128 Gb w 10-nanometrowej litografii, lecz w ciągu najbliższych lat producent planuje zmniejszyć proces technologiczny i łączyć więcej niż 24 warstwy komórek, co w efekcie pozwoli produkować układy o pojemności sięgającej 512 Gb lub nawet 1 Tb.

Nowe pamięci znajdą zastosowanie w różnych urządzeniach, a jednymi z pierwszych mają być 2,5-calowe dyski SSD o pojemności 480 GB i 960 GB. Modele te zostaną wyposażone w kości MLC V-NAND, które charakteryzują się wytrzymałością 35 tysięcy cykli programowania dla jednej komórki i pozwalają uzyskać o 20% wyższą wydajność w stosunku do obecnych nośników. Niestety dokładna data ich premiery oraz ceny jeszcze nie są nam znane.

Źródło: Samsung