Samsung zapowiada pamięci DDR6 i GDDR7 – co przyniosą nowe standardy?
Ledwo odetchnęliśmy po rynkowej premierze pamięci DDR5 RAM, a producenci już pracują nad kolejnymi, lepszymi standardami – podczas konferencji Tech Day 2021, firma Samsung zapowiedziała wprowadzenie pamięci DDR6 RAM.
Pamięci DDR5 to przede wszystkim jeszcze wyższa wydajność – oficjalna specyfikacja JEDEC zakłada maksymalnie 6400 MT/s, ale możemy spodziewać się wprowadzenia jeszcze szybszych modułów (koreański producent zapowiada kostki oferujące nawet 8500 MT/s). Póki co jednak producenci borykają się z problemami z dostawami chipów.
Samsung zapowiada pamięci DDR6 RAM
Okazuje się, że Samsung już pracuje nad standardem DDR6 – pierwsze szczegóły na temat nowych modułów ujawniono podczas konferencji Tech Day 2021.
| Generacja | Maksymalne taktowanie JEDEC | Podkręcone moduły |
| DDR4 | 3200 MT/s | 5600 MT/s |
| DDR5 | 6400 MT/s | 8400 MT/s |
| DDR6 | 12 800 MT/s | 18 400 MT/s |
Według ujawnionych informacji, pamięci DDR6 mają oferować dwukrotnie wyższą wydajność – w standardzie będzie to maksymalnie 12 800 MT/s. Producent zapowiedział jednak wprowadzenie też szybszych, podkręconych modułów o wydajności nawet 18 400 MT/s (!).
Co więcej, nowy standard zwiększy liczbę kanałów na moduł z 2 do 4 oraz maksymalną liczbę banków pamięci z 32 do 64. Można zatem oczekiwać jeszcze większej wydajności, ale też ogólnie obsługi większych pojemności operacyjnej (co może mieć znaczenie w segmencie profesjonalnym). Nie wiadomo kiedy miałyby się pojawić pierwsze platformy oferujące wsparcie dla "szóstek".
GDDR7 i HBM3 – nowe pamięci dla kart graficznych
Podczas konferencji zapowiedziano też nowe pamięci dla kart graficznych i akceleratorów obliczeniowych.
Pamięci GDDR6/GDDR6X zostaną zastąpione przez kości GDDR7 - producent zapowiedział, że mają one zaoferować przepustowość sięgającą nawet 32 000 MT/s (czyli 2-krotnie wyższą względem obecnych kości GDDR6). Nowy standard ma również wprowadzić funkcję ochrony przed błędami w czasie rzeczywistym, ale jeszcze nie ujawniono tutaj żadnych szczegółów opisujących jej działanie.
W przypadku akceleratorów obliczeniowych spodziewamy się kości HBM3. Nowe pamięci wprowadzą jeszcze wyższą wydajność (do 800 GB/s) i większą pojemność - układy mają trafić do masowej produkcji w drugim kwartale przyszłym roku (podobno będą one wykorzystywane głównie do akceleracji rozwiązań opartych o AI).
Źródło: ComputerBase
Komentarze
17Wreszcie będą 4 kanałowe pamięci RAM i użytek z 4 miejsc na kości?
Swoją drogą to debilizmem byłoby wprowadzić nowy standard tylko - bo szybsze. Przypomnę, że z każdą generacją tak było, że bardzo mocno różnił się produkt wchodzący od schodzącego na rynek.
Na pewno wysokie ceny....