Technologia 32nm Intela - nowe fakty

Zaawansowany, 32-nanometrowy proces technologiczny procesorów uzyskał certyfikat gotowości do produkcji, która rozpocznie się w IV kwartale 2009.

Firma Intel Corporation ujawniła nowe informacje na temat nadchodzącej, 32-nanometrowej technologii produkcji nowej rodziny procesorów  Core, które wejdą na rynek w 2010 roku, oraz przyszłych produktów SoC (System on a Chip). Intel po raz pierwszy opracował w pełni funkcjonalną technologię wytwarzania układów SoC, która uzupełnia technologię specyficzną dla procesorów — obie używają drugiej generacji tranzystorów z metalową bramką i izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (High-K and Metal Gate), aby osiągnąć najwyższą w branży wydajność i najlepszą charakterystykę zasilania. Firma podała nowe informacje o obu wersjach procesu 32-nanometrowego, a także o osiągniętym właśnie przełomie - 45-nanometrowej technologii high-k z metalową bramką. Kwestie te będą omawiane podczas różnych sesji na konferencji Intel Developer Forum w przyszłym tygodniu i w referatach na konferencji International Electron Devices Meeting w grudniu.

Technologia high-k z metalową bramką odnosi dalsze sukcesy

• Od listopada 2007 roku Intel dostarczył ponad 200 milionów procesorów 45-nanometrowych z tranzystorami HK+MG.

Intelowski, 32-nanometrowy proces produkcyjny został zatwierdzony, a wafle z procesorami Westmere są obecnie przygotowywane do planowanego rozpoczęcia produkcji w 4. kwartale

Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalową bramką cechuje się najwyższą wydajnością (mierzoną prądem sterowania) spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej

• Tranzystory NMOS są wydajniejsze o 19 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi
• Tranzystory PMOS są wydajniejsze o 29 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi

Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalową bramką cechuje się najwyższą zgłoszoną gęstością spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej

• Długość bramki tranzystora, miara gęstości, wynosi 112,5 nm. Długość bramki wskazuje, jak gęsto można upakować tranzystory na danym obszarze. Wyższa gęstość oznacza więcej tranzystorów na danej powierzchni, a zatem większą funkcjonalność i wyższą wydajność.

Intel wprowadza 32-nanometrową technologię produkcji SoC — najbardziej zaawansowaną spośród wszystkich technologii 32- lub 28-nanometrowych

• Intel po raz pierwszy opracował w pełni funkcjonalną technologię wytwarzania układów SoC, która uzupełnia technologię specyficzną dla procesorów.
• Do specjalnych cech tej technologii należą tranzystory high-k drugiej generacji z metalową bramką o bardzo niskim poborze mocy, przeznaczone do obwodów z niskim prądem gotowości albo zawsze włączonych, a także wysokonapięciowe tranzystory wejścia-wyjścia.
• Proces produkcyjny obejmuje również precyzyjne i dobre jakościowo komponenty pasywne specyficzne dla układów SoC, takie jak oporniki, kondensatory i cewki.

źródło: informacja prasowa