Hynix, koreański producent pamięci, zawarł z firmą Innovative Silicon (ISi) umowę na wykorzystanie technologii Z-RAM w produkowanych przez siebie układach DRAM. Ogłoszone dzisiaj porozumienie przyniesie ISi ponad 10 milionów dolarów oraz tantiemy za wykorzystanie ich własności intelektualnej w kolejnych seriach produkcyjnych.
Z-RAM (zero capacitor RAM) powstał w ramach prób zaprojektowania możliwie najtańszej w produkcji pamięci wbudowanej do wykorzystania w układach logicznych. Typowymi zastosowaniami miały być mikroprocesory, chipsety do telefonów komórkowych oraz procesory do kart sieciowych i innych popularnych urządzeń.
Komórki bitowe modułów DRAM opartych na technologii Z-RAM będą złożone z pojedynczego tranzystora, a nie - jak dotychczas - z tranzystora i kondensatora. Jest to pierwsza tak poważna zmiana w strukturze pamięci DRAM od momentu jej opracowania w 1970 roku.
Pierwszym większym klientem na Z-RAM była co prawda firma AMD, jednak jej zamiarem jest wykorzystanie technologii w nowych procesorach. Hynix jest więc pierwszym producentem, który planuje wprowadzenie Z-RAMu na rynek pamięci DRAM. Projekt ten powstaje wspólnym wysiłkiem Innovative Silicon i Hynixa i obie firmy oddelegowały spory odsetek swoich inżynierów do pracy nad nim.
„Z-RAM zapowiada się jako bardzo obiecujący sposób wytwarzania modułów DRAM o dużej gęstości w nanometrowych procesach technologicznych” - twierdzi Sung-Joo Hong, wicedyrektor oddziału R&D Hynixa. „Uważamy, że dzięki innowacyjnemu rozwiązaniu ISi, uda się nam stworzyć całą linię produktów, która pomoże nam utrzymać wiodącą pozycję na rynku pamięci”.
Warto przypomnieć, że w 2006 roku Hynix zanotował znaczny wzrost dochodów, co pozwoliło mu wbić się na listę dziesięciu największych na świecie producentów układów scalonych. Jeff Lewis, wiceprezes działu marketingu ISi, uważa, że wpływy Hynixa w świecie pamięci pomogą wypromować technologię Z-RAM.
„Uważamy, że jest to ważny krok w rozwoju obu naszych firm. Z-RAM spowoduje poważne zmiany w podejściu do projektowania i wytwarzania układów DRAM” - komentuje Lewis. „Jako że wartość rynku pamięci DRAM sięgnęła w poprzednim roku 33 miliardów dolarów, zmiany te odbiją się szerokim echem w całym przemyśle elektronicznym”.
Opracowany przez ISi Z-RAM jest znaczącym krokiem naprzód w porównaniu z obecnymi rozwiązaniami DRAM i SRAM, a jego jednotranzystorowa komórka bitowa jest najmniejszym istniejącym układem pamięci. W oparciu o Z-RAM wytwarzać można najgęściej upakowane, a co za tym idzie najtańsze w produkcji, oparte na półprzewodnikach moduły RAM.
Produkcja zawierających ledwie jeden tranzystor komórek możliwa jest dzięki wykorzystaniu efektu „floating body”, który występuje w układach produkowanych w technologii silicon-on-insulator (SOI). Polega on na zbieraniu się ładunku pomiędzy tranzystorem a warstwą izolującą. Dzięki temu, że opiera się na naturalnie powstającym zjawisku, Z-RAM nie wymaga nietypowych procesów technologicznych stosowanych normalnie do wbudowywania kondensatorów i innych złożonych struktur w komórki pamięci.
Innovative Silicon pomoże Hynixowi zintegrować technologię Z-RAM z ich obecną linią produktów. Jak w przypadku każdego nowego rozwiązania, na początku może się to wiązać ze wzrostem kosztów bądź spadkiem produkcji. Z czasem jednak, dzięki swojej uproszczonej strukturze, technologia Z-RAM powinna zaowocować wzrostem wydajności w porównaniu z obecnymi rozwiązaniami stosowanymi w wytwarzaniu modułów DRAM.
Komentarze
0Nie dodano jeszcze komentarzy. Bądź pierwszy!