Testujemy najnowsze dyski SSD od firmy Samsung – modele z serii SSD 850 Pro z rewolucyjnymi pamięciami 3D V-NAND.
Tradycyjne pamięci NAND produkowane są w coraz niższym procesie technologicznym i w efekcie oferują coraz większą pojemność. Oczywiście nie jest to proces nieskończony – przewiduje się bowiem, że w przypadku obecnej technologii produkcji (CTF - Charge Trap Flash), już przy 10-nanometrowej litografii pojawią się problemy ze zbyt małymi odległościami między komórkami i ich wzajemnym oddziaływaniem. Droga do maksymalnego wykorzystania technologii CTF wcale nie jest taka długa, gdyż najnowsze dyski SSD wykorzystują 16-nanometrowe kości, natomiast czołowi producenci już pracują nad rozpoczęciem masowej produkcji w 10-nanometrowej litografii.
Porównanie budowy pamięci NAND – od lewej: Floating Gate, Charge Trap Flash i 3D Charge Trap Flash
Na początku lipca Samsung zwołał konferencję prasową, na której zaprezentował dyski półprzewodnikowe z serii SSD 850 Pro – są to pierwsze nośniki z rewolucyjnymi pamięciami 3D V-NAND. Nowe rozwiązanie wykorzystuje pionową strukturę pamięci i w efekcie pozwala na jeszcze większe upakowanie komórek. Dla zwykłego klienta oznacza to większe pojemności, wyższą wydajność, większą niezawodność, a także niższy pobór energii elektrycznej. Poniżej możecie zobaczyć filmik prezentujący nową technologię Samsunga.
Tak się składa, że do naszej redakcji trafiły te dyski i to w dwóch wersjach pojemnościowych - 128 GB oraz 512 GB. Zobaczmy zatem na co je stać, bo zapewnienia producenta są bardzo obiecujące.
| Model | Samsung SSD 850 Pro 128 GB | Samsung SSD 850 Pro 512 GB |
| Interfejs | SATA 6 Gb/s | SATA 6 Gb/s |
| Format | 2,5 cala (6,8 mm) | 2,5 cala (6,8 mm) |
| Pojemność | 128 GB | 512 GB |
| Deklarowany odczyt maks. | 550 MB/s | 550 MB/s |
| Deklarowany zapis maks. | 470 MB/s | 520 MB/s |
| Deklarowany IOPS – odczyt | 100 000 | 100 000 |
| Deklarowany IOPS – zapis | 90 000 | 90 000 |
| Deklarowany pobór prądu | 0,002 W (DevSlp), 0,4 W (spoczynek), 3,3 W (praca) | 0,002 W (DevSlp), 0,4 W (spoczynek), 3,3 W (praca) |
| Wytrzymałość | 2,0 miliony godzin | 2,0 miliony godzin |
| Kontroler | Samsung MEX | Samsung MEX |
| Kości pamięci | Samsung 40 nm MLC 3D V-NAND | Samsung 40 nm MLC 3D V-NAND |
| Pamięć podręczna | Samsung 256 MB LPDDR2-1066 | Samsung 512 MB LPDDR2-1066 |
| Wymiary | 100 x 69,85 x 6,85 mm | 100 x 69,85 x 6,85 mm |
| Waga | b.d. | b.d. |
| Zastosowane technologie | AHCI, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection, DevSleep | AHCI, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection, DevSleep |
| Gwarancja | 10 lat | 10 lat |
| Cena | 450 zł | 1 350 zł |
 | |
Dyski SSD 850 Pro od początku do końca zostały zaprojektowane przez koreańskich inżynierów. Wykorzystują one 3-rdzeniowy kontroler MEX na bazie rdzeni ARM Cortex-R4 o częstotliwości 400 MHz (ten sam układ znajduje się w modelach SSD 840 EVO), wcześniej wspomniane pamięci MLC 3D V-NAND wykonane w 40-nanometrowym procesie produkcyjnym, 256 MB (128 GB) lub 512 MB (512 GB) pamięci podręcznej LPDDR2-1066, a całość wspomaga całkowicie autorskie oprogramowanie.
Podzespoły te pozwalają uzyskać wysoką wydajność – przynajmniej w teorii, co już za chwilę zweryfikujemy. Samsung 850 Pro o pojemności 512 GB osiąga transfery do 520 MB/s w przypadku sekwencyjnego zapisu oraz 550 MB/s w przypadku sekwencyjnego odczytu danych, natomiast jego wersja o pojemności 128 GB jest trochę wolniejsza w zapisie – osiąga tutaj 470 MB/s. Liczba operacji wejścia/wyjścia na sekundę też stoi na bardzo wysokim poziomie, bo sięga 100 000 IOPS przy losowym odczycie i 90 000 IOPS przy losowym zapisie próbki 4 KB (w przypadku wersji 128 i 512 GB).
Producent twierdzi, że zastosowane kości pamięci są tak wytrzymałe, że pozwolą na codzienne zapisywanie 40 GB danych przez 10 lat – tyle zresztą trwa też udzielana przez niego gwarancja (!). W efekcie przekłada się to na całkowitą wytrzymałość (TBW – Total Bytes Written) na poziomie 150 TB, a więc ponad dwukrotnie wyższą względem poprzedników z serii 840 Pro. Tak niebagatelny współczynnik jest nie tylko wynikiem zastosowania nowoczesnej technologii 3D V-NAND, ale też produkcji pamięci w wysokim (w porównaniu do technologii CTF) procesie technologicznym.
Dyski zamknięto w eleganckiej, metalowej obudowie o grubości 6,8 mm – oznacza to zatem, że zmieszczą się zarówno do komputerów stacjonarnych, jak i cieńszych laptopów.
