Intel wraz z firmą Nanochip łączą swoje siły, aby opracować nowe 100 GB pamięci. Nanochip, Inc., firma z Doliny Krzemowej, zdołała zebrać 14 milionów dolarów z Intel Capital, intelowej globalnej organizacji inwestycyjnej, na dalsze opracowywanie technologii MEMS.
Jak podaje Nanochip, technologia nie jest ograniczona przez litografię, dzięki czemu możliwe jest produkowanie układów o pojemności przekraczającej 1 GB i to w fabrykach dysponujących przestarzałą technologią, które praktycznie zostały już skazane na zamknięcie.
Brak ograniczenia ze względu na litografię oznacza niższe koszty produkcji, a to pozwala na wykorzystanie tej technologii zamiast pamięci flash.
Istniejące fabryki powinny być w stanie produkować pierwsze układy, których pojemność szacuje się na około 100GB, mniej więcej w 2010 roku, czyli w momencie, gdy planuje się powszechnie zaprezentować nową technologię. Pierwsze sample prawdopodobnie będą dostępne w 2009 roku.
Pamięć PRAM, lub inaczej phase change memory, czyli typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym, określana jest jako technologia, która w najbliższych latach zastąpi pamięć flash ponieważ tak jak pamięć flash jest nieulotna, ale za to znacznie szybsza. W przeciągu ostatnich kilku lat Intel przekonał się na własnej skórze, że PRAM trudno jest skalować, szczególnie jeżeli chodzi o gęstość pamięci. Technologia ta ma jeszcze kilka barier, które muszą zostać zniwelowane, a dotyczą one przede wszystkim wydzielanego ciepła.
Szczegóły zaprezentowane przez Nanochip są co najmniej dwuznaczne. Niemniej jednak wiadomo, że firma pracuje nad mikro-elektorniczno-mechaniczną hybrydą. Współpraca z Intelem sugeruje, że prace trwają także nad pamięciami PRAM. Firma opisuje produkt jako bardzo małą płytkę pokrytą chalkogenidem przeciągniętą pod setkami tysięcy elektrycznych próbników, które są w stanie odczytywać i zapisywać chalkogenid. Pierwsze obliczenia wykazują rozbieżne informacje. Według badaczy gęstość pozwoli na zapisanie od 125 GB do 1 TB na calu kwadratowym.
Firma jak na razie nie ujawniła jakimi czasami dostępu będzie dysponować pamięć. Jednak jak wiadomo, to właśnie dzięki tym osiągom PRAM ma szanse zostać niekwestionowanym królem i określić zakres zastosowań dla tej technologii.
W chwili obecnej wygląda na to, że dyski SSD zostaną zastąpione przez nową technologię jeszcze zanim trafią do masowych odbiorców, co tak naprawdę wszystkim wyjdzie tylko na dobre. Technologia jest jeszcze bardzo kosztowna, nie zapewnia odpowiedniej pojemności i, ze względu na małą liczbę dostępnych cykli zapisu dla każdej komórki, jest póki co podatna na usterki. Flash jest idealnym rozwiązaniem dla przenośnych pamięci i świetnie znosi wstrząsy, ale nie sprawdza się tak dobrze podczas częstej, intensywnej pracy, której wymaga się od dysku twardego.
Komentarze
0Nie dodano jeszcze komentarzy. Bądź pierwszy!