32 nanometrowe układy nadchodzą

IBM wykorzystuje ten sam proces technologiczny "high-k/metal gate", aby osiągnąć to co Intel w przypadku 45 nanometrowych procesorów. Grupa skupiona wokół IBMa twierdzi jednak, że zaobserwowała wzrost wydajności do 35 procent w porównaniu do technologii 45 nanometrów przy zachowaniu tych samych napięć i poboru energii. Pozwoli to firmom wchodzącym w skład porozumienia, takim jak Samsung, Toshiba i Freescale Semiconductor (wcześniej będąca gałęzią Motoroli) tworzyć bardziej wydajne układy, które wcale nie wydzielają więcej ciepła. Stanowi to bardzo poważny krok na przód szczególnie jeżeli chodzi o takie urządzenia jak telefony komórkowe oraz ośrodki danych, które korzystają z wielu serwerów. Jak informuje IBM, pobór energii został obniżony w porównaniu do technologii 45 nanometrów od 30 do 50 procent w zależności od napięcia.

Oświadczenie to jest jednak bardziej uaktualnieniem informacji na temat postępów nad tym projektem niż przełomową wiadomością. Na początku ubiegłego roku IBM zaprezentował technologię, która "przyspieszała zastosowanie technologii high-k/metal gate w kolejnej generacji 32 nanometrowych układach komputerowych."

Gate jest podstawowym elementem, z którego tworzy się cyfrowe obwody podczas gdy high-k/metal jest jego materiałem. Na przykład Intel skorzystał z materiału znanego jako hafnium, aby zastąpić silicon dioxide gate dielectric w 45 nanometrowych procesorach. W związku z tym, że tranzystory nieustannie się kurczą straty energii są coraz bardziej prawdopodobne. Dla producentów układów najważniejsze jest zatem zminimalizowanie strat. To właśnie to zadanie przejmuje na siebie high-k/metal gate.

Technologia będzie dostępna dla partnerów tego porozumienia w drugiej połowie 2009 roku, ale projektowanie urządzeń, które będą wykonane za pomocą tej technologii może się już rozpoczynać, informuje IBM. AMD nie zostało objęte tym porozumieniem ponieważ z technicznego punktu widzenia jest członkiem osobnej grupy zwanej SOI, czyli Silicon-On-Inslator.