ASRock DDR4 Non-Z OC: podkręcanie pamięci RAM na tańszych płytach H110, B150 i H170
Inżynierowie ASRock znaleźli sposób na przyspieszenie pamięci operacyjnej, co pozwala na uzyskanie nawet 5% wzrostu wydajności.
ASRock postanowił ułatwić podkręcanie pamięci RAM na nowych płytach głównych z serii 100. Niedawno pisaliśmy o funkcji DDR4 OC dla płyt głównych z chipsetem Z170, natomiast teraz udostępnił podobne rozwiązanie dla tańszych modeli z chipsetami H110, B150, Q170 i H170.
Mowa o technologii DDR4 Non-Z OC, która pozwala na podkręcanie pamięci operacyjnej – do tej pory funkcja ta była niedostępna dla tańszych płyt z chipsetami innymi niż Z170. W UEFI dodano menu DDR4 Non-Z OC, dzięki któremu można aktywować dwa wydajniejsze tryby pracy pamięci: Sport i Sport+.
Wewnętrzne testy producenta nie wskazują na potężny przyrost wydajności - w przypadku syntetycznego benchmarka SiSoftware Sandra możemy liczyć na wzrost osiągów mniej więcej na poziomie 5%. W realnym użytkowaniu komputera różnica ta zapewne będzie jeszcze niższa, niemniej jednak zawsze będzie to drobna poprawa osiągów.
Jak na razie nowa funkcja jest dostępna tylko dla wybranych płyt z chipsetami H110, B150, Q170 i H170, niemniej jednak producent zapowiedział sukcesywne wprowadzanie jej do kolejnych modeli. Ciekawe czy inżynierowie ASRocka opracują metodę na podkręcanie procesora na tańszych płytach, co pozwoliłoby uzyskać dużo wyższy wzrost osiągów niż przyspieszanie pamięci RAM. Zerknijcie jeszcze na prezentację funkcji DDR4 Non-Z OC na przykładzie modelu B150M Combo-G.
Źródło: ASRock
Komentarze
2