Na pierwsze nośniki z przyjdzie nam poczekać do początku przyszłego roku, ale na pewno jest na co czekać - wzrost wydajności jest potężny.
Niedawno informowaliśmy o opracowaniu przez firmy Intel i Micron nowego typu pamięci 3D XPoint. Nie musieliśmy długo czekać na prezentację jej możliwości, bo podczas konferencji IDF 2015 pojawił się pierwszy nośnik wykorzystujący tę technologię.
Na konferencji Intela została zaprezentowana technologia Optane, czyli połączenie właśnie nieulotnej pamięci 3D XPoint, a także zaawansowanego kontrolera pamięci oraz interfejsu sprzętowego i programowego. Brzmi tajemniczo, ale rozwiązanie to ma służyć uwolnieniu wydajności nadchodzących produktów.
Całość zapowiada się niezwykle interesująco – wszystko za sprawdzą pierwszych testów wydajności, które przeprowadzono przy mieszanym obciążeniu (70% odczyt i 30% zapis).
Intel SSD DC P3700, czyli jeden z wydajniejszych dysków SSD dla centrów danych, osiąga wynik 10 600 IOPS przy głębokości kolejki 1 i 84 600 IOPS przy głębokości kolejki 8. Wczesny prototyp nowego nośnika może się tutaj pochwalić wynikiem odpowiednio 77 100 IOPS i 461 800 IOPS (czyli 7,27- i 5,46-krotnie lepszym).
Według zapowiedzi, pierwsze nośniki SSD z technologią Intel Optane pojawią się już na początku 2016 roku. Nowa generacja pamięci będzie także zasilać pamięci DIMM przeznaczone dla nowej generacji platform dla centrów danych. Nie wiemy jak Wy, ale my nie możemy się doczekać :)
Źródło: Intel, ComputerBase, AnandTech
Komentarze
18http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2015/07/28/intel-and-micron-produce-breakthrough-memory-technology