Snapdragon 835 w technologii FinFET 10 nm - dzięki współpracy Qualcomm i Samsung
Nowy układ zapowiada się świetnie. Qualcomm i Samsung liczą na owocną współpracę.
Trudno wyobrazić sobie rynek mobilny bez firm Samsung i Qualcomm. Nie obca jest im współpraca, która trwa już od wielu lat i w najbliższej przyszłości nic się w tej kwestii nie zmieni.
Oficjalnie poinformowano, iż współpraca została przedłużona, w czym spora zasługa procesora Qualcomm Snapdragon 835. Kolejny z topowych układów dla smartfonów i tabletów przygotowany będzie z zastosowaniem 10 nanometrowej technologii FinFET, którą wykorzystuje właśnie Samsung.
Koreańczycy już w październiku pochwalili się, że jako pierwsi rozpoczną produkcję w tej technologii na masową skalę. Umożliwia ona między innymi wzrost wydajności o 27% czy obniżenie zapotrzebowania na energię o 40%. Różnice względem poprzedniej technologii są zatem znaczące. Dodatkowo dzięki zastosowaniu FinFET 10 nm w procesorze Snapdragon 835 zmniejszy się też powierzchnia chipa, dając producentom smartfonów możliwość zastosowania na przykład większych baterii.
„To wspaniale, że możemy nadal współpracować z firmą Samsung nad rozwojem czołowych produktów dla branży mobilnej. Zastosowanie nowej litografii 10 nm pozwoli zwiększyć sprawność energetyczną i wydajność naszego procesora klasy premium Snapdragon 835, jednocześnie umożliwiając nam na wprowadzenie pewnych nowych możliwości, które w przyszłości przełożą się na większą satysfakcję użytkowników urządzeń mobilnych.” – Keith Kressin, starszy wiceprezes ds. zarządzania produktami w Qualcomm Technologies Inc.
„Cieszymy się, że możemy ściśle współpracować z Qualcomm Technologies przy produkcji procesora Snapdragon 835 w naszej nowej technologii FinFET 10 nm. Ta współpraca to ważny etap rozwoju działalności firmy Samsung, ponieważ świadczy o zaufaniu do naszej wiodącej technologii wytwarzania chipów.” – Jong Shik Yoon, Executive Vice President of Foundry Business Team w Samsung Electronics
Warto dodać, że Snapdragon 835 jest już w produkcji. Do pierwszych urządzeń mobilnych trafić powinien w pierwszej połowie 2017 roku. Będzie bezpośrednim następcą układu Snapdragon 820/821.
Źródło: Samsung, YoSoyAndroid
Komentarze
19Bzdura!! to Jaki ten chip był gruby 1cm...? To są wartości dziesiątek milimetrów o ile nie 1mm a przecież wielkość kwadratowa procka nie ogranicza możliwości lokowania baterii.
A po za tym, to że zmniejszył się proces technologiczny, nie oznacza że powierzchnia krzemu będzie mniejsza. Skoro tranzystory będą mniejsze mrze być ich więcej na tej samej powierzchni. Ta dodatkowa moc z powietrza się nie bierze.
Tyle, że to będzie ten nowy Snap i.?. I chyba tyle - Qualcomm chyba wszystkie średniopółkowce ma w 28 nm (a może się mylę), natomiast wydał bardzo imponujący IMO procek - Snapdragona 625, który ma 8 rdzeni do 2 GHz chyba (w sumie to ciekaw jestem, czy na tych smartfonach choć są momenty, że pracuje 6-7 rdzeni. Może ten "podział ról" jest lepszy niż w przypadku pecetów, nie wiem, może ktoś kto zna sprawę lepiej niech się podzieli wiedzą), choć mi pewnie wystarczyłyby 4, ale już są w 14 nm. I taki procek jest w budżetowym Xiaomi Redmi 4 Pro, na którego mam ochotę.
Jednak mnie osobiście bardziej interesowałoby kiedy nawet te budżetowce porzucą stare cortexy a-53 na rzecz chociażby a-72. Pal licho ten proces 10 nm, który prędko się pewno nie rozpowszechni - nowa, energooszczędniejsza i wydajniejsza architektura już jest, tylko na razie to cortexy a-53 pełnią role tych energooszczędnych.
"Umożliwia ona między innymi wzrost wydajności o 27% czy obniżenie zapotrzebowania na energię o 40%"
Tylko względem czego? 820/821?
SD 820/821 - pochodne A72
SD 835 - pochodne A73